三星提出3纳米芯片工艺

三星提出3纳米芯片工艺

14日，三星电子在上海召开 “2018三星晶圆代工论坛”，首次发布的内容包括晶体管构造(FinFET、GAA)与曝光技术(EUV)的使用计划，以及3纳米芯片高端工艺的发展路线图。


【温馨提示】本文内容和图片为作者所有,本站只提供信息存储空间服务,如有涉嫌抄袭/侵权/违规内容请联系QQ:275171283删除！

上一篇：海信智慧家居AI+信果正式发布

海信智慧家居AI+信果正式发布AI+信果依托海信智慧家居Hi-smart系统，利用语音交互、影像交互、感知交互三大交互和智控中心优势，首创立体多维交互技术，为用户提供交互无界的智能家居生活新体验。

下一篇：武汉建成全省首批15座5G基站

武汉建成全省首批15座5G基站据悉，这15座5G基站有13座位于武汉东湖新技术开发区 ，另外2座分别位于武昌区东湖绿道和江汉区湖北移动公司 。在没有建筑物遮挡及其他信号干扰的情况下，5G网速可达1至10Gb/每秒。