英特尔宣布了混合结合封装和SuperFin工艺。混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距，每平方毫米的凸点数量也能超过1万，增加足足25倍。SuperFin工艺由增强型FinFET晶体、Super MIM电容器结合而来，能够提供增强的外延源极/漏极、改进的栅极工艺，基于SuperFin晶体管技术等创新的加强，10nm工艺可以实现节点内超过15％的性能提升。
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英特尔宣布新工艺 英特尔宣布新工艺
英特尔宣布了混合结合封装和SuperFin工艺。混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距，每平方毫米的凸点数量也能超过1万，增加足足25倍。SuperFin工艺由增强型FinFET晶体、Super MIM电容器结合而来，能够提供增强的外延源极/漏极、改进的栅极工艺，基于SuperFin晶体管技术等创新的加强，10nm工艺可以实现节点内超过15％的性能提升。 打赏 3项世界之最 长江存储128层QLC闪存首次公开亮相昨日，长江存储128层QLC闪存在中国电子信息博览会首次亮相。长江存储这次展示了64层、128层堆栈的闪存，其中64层TLC闪存是国内首个自研量产的64层闪存，基于Xtacking堆叠架构，单位面积的存储密度是同类产品中最大的。
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